渡邊 圭紀 | (株)日立製作所デバイス開発センタ
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概要
関連著者
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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山下 寛樹
(株)日立製作所中央研究所
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千葉 博之
(株)日立超LSIシステムズ
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菊地 広
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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會田 辰洋
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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伊藤 雅広
(株)日立製作所中央研究所
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會田 辰洋
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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山下 寛樹
日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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高橋 毅
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
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渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
-
高橋 毅
(株)日立超lsiシステムズ
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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吉岡 博之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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橋本 尚
日立製作所 デバイス開発センタ
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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小山 明夫
日立デバイス開発センタ
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
日立
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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鷲尾 勝由
日立中央研究所
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橋本 尚
日立・システム研
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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和田 真一郎
日立
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野中 裕介
日立
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斎藤 朋広
日立
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冨成 達也
日立
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小結 薫
日立
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笹原 響子
日立
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渡邊 圭紀
日立
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大植 栄司
日立
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清田 幸弘
日立
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細江 英之
日立
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藤原 裕章
日立超L
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村田 文夫
日立超L
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島本 裕巳
日立デバイス
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金山 正文
(株)日立超LSIエンジニアリング
-
篠原 隆
(株)日立超LSIエンジニアリング
-
河崎 和弘
(株)日立製作所情報通信事業部
-
土濃塚 太郎
(株)日立製作所情報通信事業部
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清田 幸弘
日立製作所中央研究所
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細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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河崎 和弘
(株)日立製作所 戸塚工場
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
著作論文
- 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- 高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
- 10Gb/s 16:1MUX/1:16DMUX ICの開発