會田 辰洋 | (株)日立製作所デバイス開発センタ

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概要

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関連著者

• 山下 寛樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 小山 明夫

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 會田 辰洋

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 山下 寛樹

  日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 白水 信弘

  (株)日立製作所中央研究所

• 白水 信弘

  株式会社日立製作所中央研究所

• 千葉 博之

  (株)日立超LSIシステムズ

• 渡邊 圭紀

  (株)日立製作所

• 渡邊 圭紀

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 會田 辰洋

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 伊藤 雅広

  (株)日立製作所中央研究所

• 白水 信弘

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 高橋 毅

  (株)日立製作所ストレージシステム事業部

• 高橋 毅

  (株)日立超lsiシステムズ

• 結城 文夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 吉岡 博之

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 曽根原 理仁

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 中村 宝弘

  (株)日立製作所中央研究所

• 川下 達也

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 宝弘

  株式会社日立製作所中央研究所

• 曽根原 理仁

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 伊藤 淳

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 中村 宝弘

  株式会社日立製作所 中央研究所

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著作論文

• 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI
• フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI向け低電力BiNMOS回路

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