中村 宝弘 | 株式会社日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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中村 明博
株式会社日立製作所中央研究所
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中村 明博
株式会社日立製作所 中央研究所
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山下 寛樹
(株)日立製作所中央研究所
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吉岡 博之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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千葉 博之
(株)日立超LSIシステムズ
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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近藤 博司
(株)日立製作所 中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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會田 辰洋
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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伊藤 雅広
(株)日立製作所中央研究所
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會田 辰洋
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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近藤 博司
株式会社日立製作所
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児玉 彰宏
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第二設計センタ
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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山下 寛樹
日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
著作論文
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-6 20GHz帯1V動作VCOと低電力ミラー周波数分周器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路
- C-12-39 周辺グランドパターンを考慮した高精度インダクタモデル(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-32 再利用トランスフォーマ整合回路を用いた27GHz SiGe VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作
- トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作