鷲尾 勝由 | (株)日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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大植 栄司
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
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小田 克矢
日立製作所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
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速水 礼子
日立製作所中央研究所
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大畠 賢一
日立デバイス
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島本 裕巳
日立デバイス
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
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田辺 正倫
日立デバイスエンジニアリング(株)
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
日立 中研
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
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田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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荒川 文彦
(株)日立デバイスエンジニアリング
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荒川 文彦
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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荒川 文彦
日立デバイス
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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今井 一男
(株)日立製作所中央研究所
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武鎗 良治
(株)日立製作所 中央研究所
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武鎗 良治
日立製作所中央研究所
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清田 幸弘
(株)日立製作所
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今井 一男
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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大畠 賢一
(株)日立製作所中央研究所
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武鎗 良冶
日立デバイスエンジニアリング(株)
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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菊地 広
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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三浦 真
日立製作所
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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三浦 真
(株)日立製作所 中央研究所
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本間 紀之
法政大学大学院工学研究科
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中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
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本間 紀之
法政大学工学部
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今井 一男
日立デバイス開発センタ
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田中 弘之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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今泉 市郎
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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児玉 彰弘
日立デバイスエンジニアリング
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稲田 太郎
法政大学工学部
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Kozhuharov Rumen
Chalmers University Of Technology
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所, 家電研究所
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児玉 彰宏
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第二設計センタ
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細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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島本 裕巳
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所
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花沢 聡
(株)日立製作所
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工藤 正樹
(株)日立超LSIシステムズ
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丹場 裕子
(株)日立製作所
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武内 勇介
(株)日立製作所
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Landen Lars
Chalmers University Of Technology
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Lowenmark Vesa
Chalmers University of Technology
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Zirath Herbert
Chalmers University of Technology
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中村 徹
(株)日立製作所
著作論文
- 超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gbit/s光受信器用Si前置増幅器の周波数特性の平坦化の検討
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- 瞬間気相ドーピング法を用いた100 GHz Siバイポーラ技術
- 瞬間気相拡散法によりベースを形成したSiバイポーラトランジスタの試作と評価
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 高性能 SiGe HBT/BiCMOS デバイス技術
- C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
- SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- 自己整合SiGe HBTを用いた超高速ECL回路とゲート遅延時間の解析
- 12-ps ECL 自己整合金属/IDP Siバイポーラ技術
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(2)
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(1)
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- C-2-26 GaAs pHEMT 7-28 GHz 周波数 4 逓倍回路の試作
- 高速・高機能化が進む SiGe HBT 技術