自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
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概要
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高速通信システムにおいては、自己整合(セルフアライン)構造と選択成長(selective-epitaxial-growth : SEG)SiGeベースを有する超高速SiGe HBTが必須といえる。今回、SiGe HBTの選択成長SiGeベース幅(W_<epi>)とSiGe HBTの直流交流特性およびそれらを用いた回路特性について解析した。W_<epi>の最適化の結果、ECLゲート遅延時間=5.3ps、スタティック型分周器の最高動作周波数=71GHzを達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
-
小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
-
速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
速水 礼子
日立製作所中央研究所
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
小田 克矢
日立製作所
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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