UHV/CVD法によるSi低温(600℃)エピタキシャル成長技術の検討
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概要
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UHV, CVD法によるSi低温エピタキシャル成長前のH_2アニールによる基板表面清淨化の実験を行い、エピタキシャル層・基板界面の清浄度がエピタキシャル層の電気特性に与える影響を検討した。エピタキシャル成長前にH_2分圧を変えてアニールを行った結果、温度850℃、H_2分圧1300Paとすることで、清浄で、平坦な基板表面が得られることがわかった。本条件で清浄化を行った基板上に形成したエピタキシャル層内のpn接合ではn値は1となったが、清浄化が不十分であるとn値は2となり、基板表面の平坦性、清浄度がダイオード特性に影響を与えることがわかった。さらに、エピベーストランジスタを試作し、最大電流増幅率40を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
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