瞬間気相拡散法によりベースを形成したSiバイポーラトランジスタの試作と評価
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概要
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通信情報量の増加に伴い、情報通信速度はますます高速化している。前回、我々は、このような高速通信システムに向けて、ベース抵抗と寄生容量の低減と遮断周波数の向上が可能な自己整合金属/IDP技術(SMI:self-aligned metal/in-situ doped poly-Si)について報告した。今回、さらなる遮断周波数の向上を目的として、薄い接合形成が可能な瞬間気相拡散法(RVD:Rapid Vapor-phase Doping)を用いてベースを形成した。RVD法は水素で希釈した不純物ソースガス雰囲気でウェハをランプアニールすることにより、浅く高濃度な不純物接合の形成を可能とする装置である。このRVD法を用いてトランジスタを試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
清田 幸弘
日立
-
大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
-
田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
-
清田 幸弘
(株)日立製作所
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
尾内 享裕
日立 中研
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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