自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(2)
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概要
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通信情報量の増加に伴い、情報通信連度はますます高速化している。このような高速通信システムにバイポーラトランジスタを用いるには、ベース抵抗、寄生容量を低減し遮断周波数を向上させ高周波特性を向上させる必要がある。我々は、自己整合金属/IDP技術(SMI: Self-aligned metal/in-situ doped poly-Si)[1]を用いこれらの改善を行った。SM1技術を用いると、金属/Poly-Si積層膜からなる外部ベース電極によりベース抵抗の低減ができる。また、つなぎベースをIDP(in-Situ doped poly-Si)からの低温処理で拡散形成するために、コレクタ容量を低減できる。さらに、つなぎベースを浅く形成することから、エミッタ幅の狭いトランジスタでも高い遮断周波数を得ることができる。今回、このような特長を持つSMI技術を用いた自己整合バイポーラトランジスタを試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
-
田辺 正倫
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
尾内 享裕
日立 中研
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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