超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化
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概要
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シリコンバイポーラデバイスは、大型計算機や高速光伝送用集積回路等、高速性を重視した応用分野に主として用いられてきた。図1はシリコンバイポーラデバイスで構成したECL回路の遅延時間のトレンドである。現在では回路の遅延時間10ps/G台の性能が得られており、開発を続行することにより更なる高速化が達成できると予想される。近年、高速性能を特徴とする製品分野においても低消費電力化が必要とされている。本報告では、超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化について発表する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
本間 紀之
法政大学大学院工学研究科
-
中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
本間 紀之
法政大学工学部
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
中村 徹
(株)日立製作所
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