単一電源動作高効率Pt埋め込みゲートInGaAsひずみチャネルダブルヘテロHEMT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
移動通信の待ち受け時間の拡大のために、特に多くの電力を消費するHPA向けの高効率の素子が求められている。また、システムの簡素化、低価格化のため単一電源動作可能なHPAが望まれている。今回、単一電源動作可能な高出力高効率HEMTを開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
田中 聡
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
谷本 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)日立製作所中央研究所
-
松本 秀俊
(株)日立製作所 中央研究所
-
寺野 昭久
(株)日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所
関連論文
- 30〜60GHz帯MMIC分布型増幅器
- ミリ波広帯域MMICミクサ
- 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
- 高出力HEMTのゲインマップによる線形性解析
- 60 GHz帯MMIC高出力増幅器の試作
- 60 GHz帯低雑音増幅器
- 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT
- 単一電源動作高効率Pt埋め込みゲートInGaAsひずみチャネルダブルヘテロHEMT
- 超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化
- ラッチ型ゲートによる計算機演算回路のパイプライン・ピッチの短縮化の検討