単一電源動作高効率Pt埋め込みゲートInGaAsひずみチャネルダブルヘテロHEMT
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概要
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移動通信の待ち受け時間の拡大のために、特に多くの電力を消費するHPA向けの高効率の素子が求められている。また、システムの簡素化、低価格化のため単一電源動作可能なHPAが望まれている。今回、単一電源動作可能な高出力高効率HEMTを開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
田中 聡
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
谷本 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)日立製作所中央研究所
-
松本 秀俊
(株)日立製作所 中央研究所
-
寺野 昭久
(株)日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所
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