GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
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概要
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i-AIGaAs/n-GaAs HIGFETにおいて, ゲートドレイン逆バイアス印加によるストレス試験でゲートリーク電流が増加する現象が観測された。機構解明のため、劣化特性の詳細な検討、MISダイオードによる表面保護膜/半導体界面の評価等を行った。その結果、ゲート電極エッジ部の高電界領域で衝突イオン化により発生する正孔がゲート電極側方部の表面保護膜/半導体界面にトラップされることによる機構が明らかになった。また、この劣化はCF_4プラズマによる表面処理で抑制されることがわかった。XPS評価より, WSiゲート加工の際SF_6/CHF_3プラズマに曝されたGaAs表面に発生するAs_2S_3がCF_4処理で除去されることが理由として考えられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-09
著者
-
高谷 信一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
重田 淳二
日立製作所 中央研究所
-
松本 秀俊
(株)日立製作所 中央研究所
-
高谷 信一郎
日立製作所中央研究所
-
福井 宗利
日立製作所デバイス開発センタ
-
大鹿 克志
(株)日立製作所半導体事業部
-
松本 秀俊
日立製作所中央研究所
-
山下 知子
日立製作所デバイス開発センタ
-
大鹿 克志
日立製作所半導体事業部
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