Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

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概要

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Alイオン注入4H-SiCについて、イオン注入層の電気特性とpnダイオード特性のイオン注入熱処理温度依存性について評価している。イオン注入は、Al濃度が3x10^<20>/cm^3、イオン注入層の厚さが約200nmであるBox様プロファイトなるように行っている。1900℃での熱処理にイオン注入層のシート抵抗は5.8kΩ/□、Ti/Alオーミック電極の接触抵抗率は2.5x10^<-5>Ωcm^2であった。同時に評価したpnダイオードでは、1,700および1800℃における熱処理で作製したダイドードはリーク電流が多く、pn接合界面にイオン注入欠陥の残留を示唆している。イオン注入されたAlの電気的活性化とともに1,900℃での高温熱処理が有効であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-06-08

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