WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
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概要
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InGaP/GaAs HBTを高速でかつ低電流で動作させるために, 素子のエミッタサイズおよびベースーコレクタ接合の寄生容量を大幅に低減することを試みた。寄生容量を低減するために, 外部コレクタ寄生領域を比誘電率の低い絶縁膜で埋め込んだ構造を用いた。またこの構造を容易に実現するため, ベース電極には加工性に優れたWSi/Tiを用いた。素子の性能としては, エミッタサイズS_E=0.6×4.6μmの素子においてコレクタ電流I_C=4mAで遮断周波数f_T=138GHz, 最大発振周波数f_<max>=275GHzを, またS_E=0.3×1.6μmの素子ではI_C=1mAでf_T=96GHz, f_<max>=197GHzをそれぞれ達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-22
著者
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
岡 徹
日立
-
平田 宏治
日立超LSIエンジニアリング株式会社
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
岡 徹
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
大内 潔
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
内山 博幸
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
望月 和浩
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
大内 潔
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
-
望月 和浩
株式会社 日立製作所
-
岡 徹
株式会社 フジクラ
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