青緑色II-VI族半導体レーザの高性能化

概要

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青や緑色に対応する450〜550nmの短波長領域の光を発する半導体レーザは、大容量高密度高精細記録を必要とする次期マルチメディア時代のシステムに必須なデバイスとして注目されている。II-VI族半導体を始めとする短波長用の半導体材料は古くから研究されてきたが、結晶の品質やドーピング技術に問題が多く、デバイス作製が困難であった。しかしながら、1990年に窒素のラジカルドーピング法が開発され、MBE法により10^<17>cm^<-3>台のp型ZnSeが得られるようになり、その結果1991年にZnCdSSe系レーザの低温(77K)パルス発振が達成された。その後、新しいワイドギャップ材料であるZnMgSSe混晶が発表され、この材料をクラッド層に用い室温連続発振が達成された。現在、実用化に向けた長寿命、高信頼化のためにオーミック接合形成などのプロセス技術の確立や結晶欠陥の低減化が重要視されている。そこで本稿では、p側オーミック接合に関して電極材料と超格子コンタクト層を検討した結果と、結晶欠陥の低減に関してSCH(Separated Confinement Heterostructure)レーザ構造の光ガイド層に超格子を導入した結果について報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27