InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
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概要
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光変調器には高速化と長距離化が求められている。伝導帯のバンドオフセットが大きいInGaAlAsの量子井戸は, 高温で動作可能な10Gbit/sの直接変調レーザに用いられているが[1], 一方では, 価電子帯のバンドオフセットが小さいことにより, 光変調器として低チャープになることも予測されている[2]。したがってInGaAlAsの光変調器を集積したレーザは, 高速で低チャープな光ファイバ通信用光源として期待できる。本報告では, InGaAlAs多重量子井戸を用いた光変調器集積レーザを作製し, 10Gbit/sにおいて素子の動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
-
白井 正敬
日立製作所中央研究所
-
白井 正敬
(株)日立製作所 中央研究所
-
辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
-
大家 彰
日立製作所中央研究所
-
大家 彰
(株)日立製作所中央研究所
-
清水 淳一郎
(株)日立製作所, 中央研究所
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
大歳 創
日立中研
-
辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
-
清水 淳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
-
大歳 創
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立 中研
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