土屋 朋信 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立 中研
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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佐藤 宏
日立中研
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青木 雅博
日立製作所
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大家 彰
日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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大歳 創
日立中研
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武居 亜紀
(株)日立製作所中央研究所
-
大歳 創
(株)日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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古森 正明
(株)日立製作所 中央研究所
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大家 彰
日立製作所 中央研究所
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古森 正明
(株)日立製作所中央研究所
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魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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魚見 和久
(株)日立製作所
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佐藤 宏
日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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奥野 八重
日立製作所中央研究所
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野本 悦子
日立中研
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井戸 立身
日立製作所 中央研究所
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古森 正明
日立製作所中央研究所
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丹羽 敦子
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 誠
(株)日立製作所中央研究所
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佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
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白井 正敬
日立製作所中央研究所
-
白井 正敬
(株)日立製作所 中央研究所
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大家 彰
(株)日立製作所中央研究所
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宍倉 正人
日立製作所中央研究所
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長妻 一之
日立製作所中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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清水 淳一郎
(株)日立製作所, 中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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足立 光一朗
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所中央研究所
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岡井 誠
日立中研
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宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
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青木 雅博
株式会社日立製作所中央研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所 中央研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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野本 悦子
日立製作所
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高橋 範次
日立中研
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土屋 朋信
日立中研
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大内 潔
日立中研
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佐野 博久
日立製作所 中央研究所
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岡井 誠
日立製作所中央研究所
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宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
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宍倉 正人
日立製作所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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清水 淳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
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長妻 一之
日立
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土屋 朋信
株式会社日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
株式会社日立製作所中央研究所
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高橋 誠
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
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足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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中塚 慎一
日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
(株)日立製作所
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平本 清久
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日本オプネクスト(株)
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谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
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北谷 健
日立中研
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中塚 慎一
日立中研
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小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立中研
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中原 宏治
日立中研
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小泉 真里
日立製作所中央研究所
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井上 宏明
日立製作所 中央研究所
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芳賀 徹
日立製作所情報通信事業部
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大石 昭夫
(株)日立製作所情報通信事業部
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谷渡 剛
(株)日立製作所情報通信事業部
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芳賀 徹
(株)日立製作所通信事業部
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芳賀 徹
(株)日立製作所情報通信事業部
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高橋 範次
日立製作所中央研究所
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大内 潔
日立製作所中央研究所
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内山 博幸
日立製作所中央研究所
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多田 真二
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
日立製作所通信システム事業本部
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河野 敏弘
(株)日立製作所光事業推進本部
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岡 聡彦
(株)日立製作所光事業推進本部
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丹羽 敦子
(株) 日立製作所中央研究所
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本村 典哉
日立製作所中央研究所
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山本 昌克
日立半導体事業部
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魚見 和久
日立中研
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依田 亮吉
日立半導体事業部
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楠 浩典
日立半導体事業部
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清野 泰夫
日立東部セミコンダクタ
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佐野 茂久
日立半導体事業部
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岡井 滋
日立中研
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谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
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大石 昭夫
(株)日立製作所光事業推進本部
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
著作論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- 大容量光インタコネクション用低しきい値1.3μm帯歪MQWレーザ
- 長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- 高温動作型全MOCVD成長1.3μm帯歪MQW-CBPBH-DFB-LD
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- 応用の幅を広げる半導体レーザ技術
- 応用の幅を広げる半導体レーザ技術