青木 雅博 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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大家 彰
日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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大家 彰
日立製作所 中央研究所
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土屋 朋信
日立 中研
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土屋 朋信
日立製作所
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佐藤 宏
日立中研
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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古森 正明
日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
日立製作所中央研究所
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古森 正明
(株)日立製作所 中央研究所
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佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
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古森 正明
(株)日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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奥野 八重
日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
横浜市立大学一般外科
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高橋 誠
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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足立 光一朗
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
日立製作所 中央研究所
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高橋 誠
日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
日立 中研
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葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
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足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
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有本 英生
日立製作所株式会社
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白井 正敬
日立製作所中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 範次
日立中研
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大内 潔
日立中研
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
-
清水 淳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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谷渡 剛
日立
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岡安 雅信
日本オプネクスト(株)
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高橋 範次
日立製作所中央研究所
-
大内 潔
日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
日立製作所中央研究所
-
多田 真二
日立製作所中央研究所
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清水 淳一郎
日立製作所 中央研究所
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多田 哲
日本オプネクスト
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河合 紀子
日本オプネクスト
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
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有本 英生
日立製作所中央研究所
著作論文
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 選択MOVPEを用いたDFBレーザの波長制御技術と応用
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器