中原 宏治 | 株式会社日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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足立 光一朗
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
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足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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足立 光一朗
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
日立中研
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田中 慈久
日立製作所中央研究所
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工藤 真
日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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田中 滋久
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 朋信
日立 中研
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深町 俊彦
日本オクラロ
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佐藤 宏
日立中研
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田中 滋久
日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
日立製作所中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
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深町 俊彦
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
日立製作所
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佐久間 康
日本オプネクスト株式会社
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谷口 隆文
日立製作所
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深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所
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佐久間 康
日本オクラロ
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若山 雄貴
株式会社日立製作所中央研究所
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
株式会社日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
株式会社日立製作所中央研究所
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工藤 真
株式会社日立製作所中央研究所
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寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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北谷 健
株式会社日立製作所中央研究所
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篠田 和典
株式会社日立製作所中央研究所
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青木 雅博
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
株式会社日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所
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比留間 健之
株式会社日立製作所中央研究所
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宍倉 正人
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 康信
(株)日立製作所中央研究所
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坂 卓磨
(株)日立製作所中央研究所
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三田 玲英子
(株)日立製作所中央研究所
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比留間 健之
日立製作所 中央研究所
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中塚 慎一
日立製作所中央研究所
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穴倉 正人
(株)日立製作所中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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北谷 健
日立中研
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中塚 慎一
日立中研
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宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
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青木 雅博
日立中研
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野本 悦子
日立中研
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高橋 範次
日立中研
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土屋 朋信
日立中研
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大内 潔
日立中研
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中原 宏治
日立中研
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宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
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田中 滋
日立製作所
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松岡 康信
(株)日立製作所 中央研究所
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坂 卓磨
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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三田 玲英子
(株)日立製作所 中央研究所
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宍倉 正人
(株)日立製作所 中央研究所
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谷口 隆文
日立製作所 中央研究所
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佐久間 康
日本オクラロ株式会社
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中村 厚
日本オクラロ(株)
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直江 和彦
日本オクラロ(株)
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早川 茂則
日本オクラロ(株)
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魚見 和久
日本オクラロ(株)
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岡本 薫
日本オクラロ株
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若山 雄貴
日立製作所中央研究所
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元田 勝也
日本オクラロ(株)
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深町 俊彦
日本オクラロ株式会社
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鷲野 隆
日本オクラロ(株)
-
魚見 和久
日本オクラロ株式会社
-
中島 崇之
日本オクラロ株式会社
-
向久保 優
日本オクラロ株式会社
著作論文
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-2 1.3μm帯InGaAlAs系直接変調DFBレーザの28Gbps無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)