藤崎 寿美子 | 日立製作所
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概要
関連著者
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藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所
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工藤 真
日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- ZnMgSSe系青緑レーザのp型結晶の検討