田中 滋久 | 日立中研
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概要
関連著者
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田中 滋久
日立中研
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日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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日立製作所中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
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篠田 和典
日立中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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田中 滋久
日立製作所
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田中 滋久
日立製作所中央研究所
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日本オプネクスト株式会社
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宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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工藤 真
日立製作所中央研究所
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直江 和彦
日本オプネクスト
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所 中央研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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古後 健治
日立製作所中央研究所
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武居 亜紀
(株)日立製作所中央研究所
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古後 健治
(株)日立製作所 中央研究所システムLSI研究部
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鈴木 崇功
(株)日立製作所中央研究所
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挾間 壽文
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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宍倉 正人
(株)日立製作所中央研究所
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挾間 寿文
産業技術総合研究所
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塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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秋本 良一
(独)産業技術総合研究所
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石川 浩
(独)産業技術総合研究所
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秋本 良一
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
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深町 俊彦
(株)日立製作所 中央研究所
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宍倉 正人
(株)日立製作所 中央研究所
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深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所
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中村 厚
日本オプネクスト(株)
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挾間 壽文
独立行政法人産業技術総合研究所
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三田 玲英子
(株)日立製作所中央研究所
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中村 均
(株)日立製作所中央研究所
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小野 綱男
(株)日立デバイスエンジニアリング
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宍倉 正人
日立製作所中央研究所
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松岡 康信
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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井戸 立身
日立製作所 中央研究所
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宍倉 正人
日立製作所
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足立 光一朗
(株)日立製作所 中央研究所
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三田 玲英子
(株)日立製作所 中央研究所
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五十嵐 潤
日本オプネクスト(株)
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足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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菊池 悟
日本オプネクスト
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直江 和彦
日本オプネクスト(株)
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穴倉 正人
(株)日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
日立製作所中央研究所
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牧野 茂樹
(株)日立製作所中央研究所
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挾間 壽文
(独)産業技術総合研究所
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坂 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
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久保木 勝彦
日本オプネクスト
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濱田 博
日本オプネクスト
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菊池 悟
日立東部セミコンダクタ
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岡安 雅信
日本オプネクスト(株)
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坂 琢磨
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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谷口 隆文
日立製作所
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濱田 博
日本オプネクスト(株)
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深町 俊彦
日立 中研
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葛西 淳一
(株)日立製作所中央研究所
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佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
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長妻 一之
(株)日立製作所中央研究所
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宮崎 隆雄
(株)日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
株式会社日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
株式会社日立製作所中央研究所
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田中 滋久
株式会社日立製作所中央研究所
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工藤 真
株式会社日立製作所中央研究所
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寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
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石川 浩
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
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小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
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井上 宏明
(株)日立製作所 中央研究所
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石川 浩
(独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター
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井上 宏明
(株)日本オプネクスト
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井上 宏明
日立製作所 中央研究所
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川村 大地
(株)日立製作所中央研究所
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長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
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長妻 一之
日立
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佐久間 康
日本オプネクスト株式会社
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内田 憲治
日本オプネクスト(株)
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石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
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葛西 淳一
(独)産業技術総合研究所
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谷口 隆文
日本オプネクスト(株)
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挟間 壽文
(独)産業技術総合研究所
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佐久間 康
日本オクラロ株式会社
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佐久間 康
日本オクラロ
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五十嵐 潤
九州工業大学大学院生命体工学研究科
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笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社設計開発本部
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吉田 幸司
(株)日立製作所 中央研究所
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樋口 克彦
日立中研
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木下 平
(株)日立製作所 中央研究所
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比留間 健之
日立製作所 中央研究所
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李 英根
(株)日立製作所中央研究所
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大野 智弘
(株)日立製作所 中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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北島 茂樹
(株)日立製作所中央研究所
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徳田 正秀
(株)日立製作所中央研究所
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笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社
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牧野 茂樹
株式会社日立製作所 中央研究所
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林 宏暁
株式会社日立製作所 中央研究所
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佐野 博久
日立製作所 中央研究所
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長良 高光
(株)日立超LSIシステムズ
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佐野 博久
(株)日立製作所中央研究所
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林 宏暁
(株)日立製作所中央研究所
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直江 和彦
(株)日本オプネクスト
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笹田 紀子
(株)日本オプネクスト
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坂 塚磨
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋
日立製作所
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北島 茂樹
日立
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長良 高光
(株)日立超lsi システムズ
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北島 茂樹
情報通信事業部中央研究所
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葛西 淳一
日立中研
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片山 良史
光技研
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元田 勝也
日本オプネクスト株式会社
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立野 公男
(株)日立製作所中央研究所
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紀川 健
日立製作所 中央研究所
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紀川 健
(株)日立製作所中央研究所
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立野 公男
(株)日立製作所 中央研究所
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玉村 好司
ソニー(株)中央研究所
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朝妻 庸紀
ソニー(株)コアテクノロジー開発本部 アドバンストライトテクノロジー部
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滝口 由朗
ソニー(株)コアテクノロジー開発本部 アドバンストライトテクノロジー部
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挟間 壽文
(独)産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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田才 邦彦
上智大学理工学部
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中島 博
上智大学理工学部
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谷口 隆文
日立製作所 中央研究所
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片山 良史
光技研:(現)フェムト秒テクノロジー
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中島 博
ソニー(株)
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田才 邦彦
ソニー(株)
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滝口 由朗
ソニー(株)
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朝妻 庸紀
ソニー(株)
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玉村 好司
ソニー(株)
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谷口 隆史
(株)日立製作所中央研究所
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古後 健次
(株)日立製作所中央研究所
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李 英根
光電子融合基盤技術研究所:日立製作所
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有本 英生
日立製作所中央研究所
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中村 厚
日本オクラロ株式会社
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山下 武
日本オクラロ株式会社
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元田 勝也
日本オクラロ株式会社
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直江 和彦
日本オクラロ株式会社
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笹田 紀子
日本オクラロ株式会社
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中西 慧
日本オクラロ株式会社
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矢萩 智彦
日本オクラロ株式会社
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鈴木 崇功
日立製作所中央研究所
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中村 厚
日本オクラロ(株)
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直江 和彦
日本オクラロ(株)
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深町 俊彦
日本オクラロ
-
中西 慧
日本オクラロ株
-
笹田 紀子
日本オクラロ株
-
若山 雄貴
日立製作所中央研究所
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元田 勝也
日本オクラロ(株)
-
中西 慧
日本オクラロ(株)
著作論文
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- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
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- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
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- SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
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- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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- CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
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- C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- BeZnCdSe量子井戸を用いた緑色半導体レーザの高出力発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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- LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)