工藤 真 | 日立製作所中央研究所

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概要

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関連著者

• 工藤 真

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所中央研究所

• 藤崎 寿美子

  日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科

• 中原 宏治

  日立製作所 中央研究所

• 中原 宏治

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 田中 滋久

  日立中研

• 田中 慈久

  日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所

• 藤崎 寿美子

  日立製作所

• 田中 聡

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  法政大学工学部電気電子工学科

• 谷口 隆文

  日立製作所中央研究所

• 寺野 昭久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 大部 功

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷口 隆文

  日立製作所

• 中村 徹

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 谷本 琢磨

  日立製作所中央研究所

• 谷本 琢磨

  日立製作所 中央研究所

• 中村 徹

  日立製作所 中央研究所

• 大部 功

  日立製作所中央研究所

• 河合 秋絵

  日立製作所中央研究所

• 田中 聡

  日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  (株)日立製作所 中央研究所

• 内山 博幸

  (株)日立製作所 中央研究所

• 内山 博幸

  株式会社日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

  株式会社日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  株式会社日立製作所中央研究所

• 藤崎 寿美子

  株式会社日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  株式会社日立製作所中央研究所

• 物集 照夫

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• 吉田 春彦

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• 小川 憲介

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• ネオギ アルブ

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• 河合 秋江

  (株)日立製作所中央研究所

• 河合 秋絵

  ?日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  日立 中研

• 三島 友義

  日立製作所 中央研究所

• 谷本 琢磨

  (株)日立製作所中央研究所

• 大部 功

  (株)日立製作所中央研究所

• 松本 秀俊

  (株)日立製作所 中央研究所

• 寺野 昭久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 梅本 康成

  (株)日立製作所中央研究所

• 小野 秀行

  (株)日立製作所中央研究所

• 市川 博一

  (株)日立製作所中央研究所

• 森 光廣

  (株)日立製作所中央研究所

• 加賀 谷修

  (株)日立製作所中央研究所

• 今村 慶憲

  (株)日立製作所中央研究所

• ネオギ アルプ

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• ニコライ ゲオルギエフ

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• 西村 哲也

  技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構

• 物集 照夫

  FESTA

• 小川 憲介

  FESTA

• ネオギ アルブ

  FESTA

• 吉田 春彦

  FESTA

• 工藤 真

  日立中研

• 市川 博一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 梅本 康成

  日立製作所

• 三島 友義

  日立中央研究所

• 谷口 隆文

  日立製作所 中央研究所

• 中村 徹

  (株)日立製作所

• 寺野 昭久

  株式会社 日立製作所

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著作論文

• 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
• 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 移動体通信用高出力GaAs/InGaAs歪チャネルHEMT
• GaAs基板上高In組成歪チャネルHEMTのMBE成長
• C-4-1 Sb系近赤外サブバンド間遷移材料
• 27p-YN-4 InGaAs/AlAsSb多重量子井戸におけるサブバンド間遷移のエネルギー緩和
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT

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