近藤 正彦 | 日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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概要
関連著者
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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工藤 真
日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
日立中研
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田中 慈久
日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
日立製作所中央研究所
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田中 滋久
日立製作所
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藤崎 寿美子
日立製作所
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谷口 隆文
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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谷口 隆文
日立製作所
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
株式会社日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
株式会社日立製作所中央研究所
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田中 滋久
株式会社日立製作所中央研究所
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工藤 真
株式会社日立製作所中央研究所
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寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
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足立 光一朗
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所中央研究所
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
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土屋 朋信
日立 中研
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足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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土屋 朋信
日立製作所
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鈴木 誠
横浜市立大学一般外科
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魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
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奥野 八重
日立製作所中央研究所
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谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
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鈴木 誠
日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
日立製作所 中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所
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谷渡 剛
日立
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鈴木 誠
日立 中研
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谷口 隆文
日立製作所 中央研究所
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谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
著作論文
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInNAs系半導体レーザの展望
- III-(N, V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性-GaN_xAs_を例にとって-
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- GaNAsのSi上半導体レーザへの適応に関する検討
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)