土屋 朋信 | 日立製作所
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概要
関連著者
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土屋 朋信
日立製作所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立 中研
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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大家 彰
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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大家 彰
日立製作所 中央研究所
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佐藤 宏
日立中研
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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土屋 忠厳
日立電線
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中村 徹
法政大学
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
日立製作所中央研究所
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野本 一貴
法政大学
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三島 友義
日立電線株式会社
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三島 友義
日立電線
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佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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金田 直樹
日立電線
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土屋 龍太
日立製作所
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畠山 義智
法政大学
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片寄 秀雄
法政大学
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寺野 昭久
日立製作所
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石垣 隆士
日立製作所
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望月 和浩
日立製作所
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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望月 和浩
日立製作所中央研究所
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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奥野 八重
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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井戸 立身
日立製作所 中央研究所
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古森 正明
日立製作所中央研究所
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古森 正明
(株)日立製作所 中央研究所
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古森 正明
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 誠
(株)日立製作所中央研究所
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佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
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望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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宍倉 正人
日立製作所中央研究所
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長妻 一之
日立製作所中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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足立 光一朗
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所中央研究所
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岡井 誠
日立中研
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宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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野本 悦子
日立中研
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野本 悦子
日立製作所
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佐野 博久
日立製作所 中央研究所
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岡井 誠
日立製作所中央研究所
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宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
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宍倉 正人
日立製作所
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長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
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長妻 一之
日立
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高橋 誠
日立製作所中央研究所
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葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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寺野 昭久
株式会社 日立製作所
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金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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平本 清久
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日本オプネクスト(株)
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谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
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小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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高橋 範次
日立中研
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大内 潔
日立中研
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小泉 真里
日立製作所中央研究所
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井上 宏明
日立製作所 中央研究所
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芳賀 徹
日立製作所情報通信事業部
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谷渡 剛
(株)日立製作所情報通信事業部
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芳賀 徹
(株)日立製作所通信事業部
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芳賀 徹
(株)日立製作所情報通信事業部
-
高橋 範次
日立製作所中央研究所
-
大内 潔
日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
日立製作所中央研究所
-
多田 真二
日立製作所中央研究所
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本村 典哉
日立製作所中央研究所
-
谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
著作論文
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード