直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術

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概要

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• lll-V族化合物半導体におけるより幅広い集積化を追求する目的で、材料及び面方位が異なるIn-Ga-As-P系の半導体基板の直接接着技術による一体化の検討を行った。試行した全基板対において高い強度での一体化が可能であった。それら内の、(001) GaPと(110)InPの直接接着界面を断面観察した。2基板は格子レベルで接合しており、構造中に欠陥は観察されなかった。更に、(110)GaAs基板上に作製した(001)InP系長波長帯レーザにおいては、電流-電圧特性において立ち上がり電圧の増加が見られたものの、50℃におけるAPC寿命試験において1000時間以上の連続安定動作が得られた。以上の結果から、直接接面による任意材料/面方位集積化の大いなる可能性を示した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-01-18

著者

• 魚見 和久

  日立製作所中央研究所

• 土屋 朋信

  日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  日立製作所中央研究所

• 奥野 八重

  日立製作所中央研究所

• 土屋 朋信

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 青木 雅博

  日立製作所

• 魚見 和久

  日本オプネクスト株式会社

• 魚見 和久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 朋信

  日立 中研

• 土屋 朋信

  日立製作所

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