InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
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概要
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0.98μm帯高出力LDは高効率、低雑音増幅が可能なEDFAの励起用光源として期待されており、高い信頼性が要求されている。我々は、化学的に活性なAlを含まない材料系であるInGaP/InGaAsPをクラッド/SCH膚に用いた0.98μm帯レーザの高出力動作を報告した。ところでこの系のレーザは活性層にInGaAs歪量子井戸層を用いているが、GaAs障壁層を用いた多重量子井戸構造では障壁層中に格子歪が観察されており、レーザの劣化原因となる恐れがある。一方、障壁層にInGaAsPを用いた場合、この格子歪を低減できることが確認されている。今回、引っ張り歪InGaAsP障壁層の導入により、さらに格子歪を低減した0.98μm帯レーザにおいて、優れた信頼性を確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
-
佐川 みすず
日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
-
篠田 和典
日立製作所中央研究所
-
大石 昭夫
日立製作所光技術開発推進本部
-
平本 清久
日本オプネクスト(株)
-
大石 昭夫
(株)日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
大石 昭夫
日立製作所通信システム事業本部
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
佐川 みすず
日立 中研
-
大石 昭夫
(株)日立製作所光事業推進本部
-
豊中 隆司
日立
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