1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
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概要
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大容量並列光インターコネクション用半導体レーザアレイの課題であるスキュー低減に対して有望なn型変調ドープ構造を1.3μm帯歪MQWレーザに適用し、従来型のアンドープレーザと比較検討した。その結果、変調ドープMQWレーザのしきい電流、キャリア寿命時間、発振遅延時間がアンドーブレーザと比較して低減することを明らかにした。さらにしきいキャリア密度の低減によるスロープ効率の増加を示した。また、1Gbit/s零バイアス変調動作において変調ドープMQWレーザのアレイ開口が優れていることを明らかにし、1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザが並列光インタコネクションの大容化に有効であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-17
著者
-
豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
-
中原 宏治
日立製作所中央研究所
-
谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
芳賀 徹
日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
谷渡 剛
日立
-
谷渡 剛
(株)日立製作所情報通信事業部
-
芳賀 徹
(株)日立製作所通信事業部
-
芳賀 徹
(株)日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
-
豊中 隆司
日立
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