高温動作型全MOCVD成長1.3μm帯歪MQW-CBPBH-DFB-LD
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概要
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近年、加入者系光通信網に用いる半導体レーザとして、広範囲温度、特に高温においても、良好なレーザ特性を有することが望まれており、我々も既に高温動作型FP-LDの開発について報告した。今回はその素子構造を基に、広範囲温度で動作する1.3μm帯歪MQW-CBPBH-DFB-LDを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立中研
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
山本 昌克
日立半導体事業部
-
魚見 和久
日立中研
-
依田 亮吉
日立半導体事業部
-
楠 浩典
日立半導体事業部
-
清野 泰夫
日立東部セミコンダクタ
-
佐野 茂久
日立半導体事業部
-
岡井 滋
日立中研
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