短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
10Gbit/s伝送用1.3μm帯直接変調レーザの駆動電流低減を目的として、数十μm長の短い活性領域を持つ短共振器型InGaAlAs系レーザを理論的、実験的に検討した。初めに理論検討により、高速性を維持しつつ動作電流を最小にする共振器長が数十μmの領域にあることを示した。次に、この短い共振器長を実現するレーザ構造として、高温高利得特性をもつInGaAlAs量子井戸活性層に集積プロセスが容易なInGaAsP分布帰還反射鏡(DBR)をバットジョイント集積した短共振器DBR構造を提案しプロトタイプを作製した。その結果、活性領域長75μmの短共振器DBRレーザにおいて、100℃における10Gbit/s低電流動作の記録値14mAを得た。また、短共振器DBRレーザでは共振器の縦モード選択性が高いため、通常の干渉露光法で作製した回折格子構造において95%以上の高い単一縦モード歩留まりが得られることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-02
著者
-
篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
向久保 優
日本オプネクスト(株)
-
内田 憲治
日本オプネクスト(株)
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
関連論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ
- Alフリー0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaAs面発光型レーザの室温連続動作
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInNAs半導体レーザの特性評価
- GaInNAs半導体レーザーの室温連続発振
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InAlGaAs/InAlAs/InPマッハツェンダー型多モード干渉光スイッチ(MIPS-MZ)の低電流動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- インジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)報告(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- インジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)報告(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- C-4-11 1.3μm帯レンズ集積面出射型レーザによる光ファイバへの高効率直接光結合(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-63 小型100-GbE Quadplex光受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光通信用レーザの最新動向 (月刊オプトロニクス2010年12月号綴込み付録 レーザ製品の手引き--Optical Mini Magazine)
- 選択MOVPEによる基板面内膜厚制御法を用いた光変調器集積波長多重光源
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光通信用レーザの最新動向 (月刊オプトロニクス2008年12月号綴込み付録 レーザ製品の手引き Optronics Mini Magazine)
- C-4-11 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積レーザの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 膜厚差のあるInGaAlAs-InGaAsPバットジョイント接続の光損失評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光変調器集積型波長可変DFBレーザ
- C-3-53 偏光無依存InPマッハツェンダー干渉形型光スイッチ技術(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
- 選択MOCVD成長による多重量子井戸構造の量子準位エネルギー制御と光集積素子への応用
- CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- リッジ導波路型半導体光増幅器
- C-4-15 InGaAlAs系EA/DFBレーザによる15℃-95℃,10Gbit/s-80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 2.5 Gb/s EA-DFB外部変調型光送信機のNDSF 500km 伝送特性
- 光通信用レーザの最新動向 (Mini Magazine レーザ製品の手引き)
- C-4-1 1.3μm帯レンズ集積型面出射レーザの広温度範囲25Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-2 短距離伝送用送受信デバイスの開発動向(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (光エレクトロニクス)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (電子部品・材料)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (機構デバイス)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4x4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-19 1.3μm帯4波長面出射DFBレーザアレイの高温25Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代ITシステムに向けた高速光インタコネクト技術
- 省電力大規模エッジルータに向けた技術開発 : NEDOプロジェクト「次世代高効率ネットワークデバイス技術開発」成果 (インターネットアーキテクチャ)
- 光通信用レーザの最新動向 (レーザ製品の手引き)
- 大規模エッジルーターデバイス技術 (特集 次世代高効率ネットワークデバイス技術)
- C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 1.3μm帯面出射DFBレーザの高温28Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 省電力大規模エッジルータに向けた技術開発 : NEDOプロジェクト「次世代高効率ネットワークデバイス技術開発」成果(省エネルギーと超高速ネットワーク,インターネットと環境・エコロジー,一般)
- 光通信用レーザの最新動向 (レーザ製品の手引き)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4×4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- BP-3-5 クライアントサイド100Gbit/s光トランスポンダの最新技術動向(BP-3."安全で強固な"超高速光伝送システムの実現に向けて,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)