1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)

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概要

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• EA変調器の光吸収層にInGaAlAs系材料を適用することにより,広い温度範囲で優れた中/長距離伝送特性を有するアンクールドEA/DFBレ「ザを実現した。EA変調器とDFBレーザがモノリシック集積された素子としては,世界で初めて15℃〜95℃の広温度範囲下における10Gbit/s-80kmエラーフリー伝送を実現した。本検討で開発した素子は,メトロ用小型・低消費電力光送受信モジュールへの適用に有望であり,次世代高速光通信網への貢献が期待できる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-06-22

著者

• 笹田 紀子

  日本オプネクスト株式会社設計開発本部

• 直江 和彦

  日本オプネクスト

• 直江 和彦

  日本オプネクスト(株)

• 塩田 貴支

  (株)日立製作所 中央研究所

• 塩田 貴支

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  (株)日立製作所中央研究所

• 牧野 茂樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所中央研究所

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  株式会社日立製作所中央研究所

• 笹田 紀子

  日本オプネクスト株式会社

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 篠田 和典

  (株)日立製作所 中央研究所

• 深町 俊彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 佐久間 康

  日本オプネクスト株式会社

• 元田 勝也

  日本オプネクスト株式会社

• 深町 俊彦

  株式会社日立製作所中央研究所

• 岡本 薫

  日本オプネクスト株式会社

• 深町 俊彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所

• 深町 俊彦

  日立 中研

• 笹田 紀子

  日本オプネクスト

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