1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
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概要
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EA変調器の光吸収層にInGaAlAs系材料を適用することにより,広い温度範囲で優れた中/長距離伝送特性を有するアンクールドEA/DFBレ「ザを実現した。EA変調器とDFBレーザがモノリシック集積された素子としては,世界で初めて15℃〜95℃の広温度範囲下における10Gbit/s-80kmエラーフリー伝送を実現した。本検討で開発した素子は,メトロ用小型・低消費電力光送受信モジュールへの適用に有望であり,次世代高速光通信網への貢献が期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-22
著者
-
笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社設計開発本部
-
直江 和彦
日本オプネクスト
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直江 和彦
日本オプネクスト(株)
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塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
塩田 貴支
株式会社日立製作所中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
-
牧野 茂樹
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所中央研究所
-
北谷 健
株式会社日立製作所中央研究所
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篠田 和典
株式会社日立製作所中央研究所
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青木 雅博
株式会社日立製作所中央研究所
-
笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社
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牧野 茂樹
株式会社日立製作所 中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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深町 俊彦
(株)日立製作所 中央研究所
-
佐久間 康
日本オプネクスト株式会社
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元田 勝也
日本オプネクスト株式会社
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深町 俊彦
株式会社日立製作所中央研究所
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岡本 薫
日本オプネクスト株式会社
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深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所
-
深町 俊彦
日立 中研
-
笹田 紀子
日本オプネクスト
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