43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速,低チャープ,小型,低消費電力といった特長を有する電界吸収型光変調器と分布帰還形レーザをモノリシック集積したEA/DFBレーザは,次世代高速通信用光源として有望である.ペルチェ素子による温度調整を必要としない,いわゆるアンクールド動作が実現できれば,さらなる低消費電力化が可能である.我々はこれまでにEA/DFBレーザを作製し,0〜85℃の広い温度範囲において1.55μm帯10Gbps 40km,80km伝送を実現してきた.本研究では1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザを開発し,Al系材料を変調器部に適用しバットジョイント法を用いた集積技術および低容量化技術により,広い温度範囲における43Gbps 10km単一モードファイバ伝送を世界で初めて達成したので報告する.
- 2009-10-15
著者
-
笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社設計開発本部
-
直江 和彦
日本オプネクスト
-
塩田 貴支
株式会社日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
株式会社日立製作所中央研究所
-
林 宏暁
株式会社日立製作所中央研究所
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所中央研究所
-
北谷 健
株式会社日立製作所中央研究所
-
篠田 和典
株式会社日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
株式会社日立製作所中央研究所
-
笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所 中央研究所
-
林 宏暁
株式会社日立製作所 中央研究所
-
笹田 紀子
日本オプネクスト
関連論文
- 低消費電力10Gトランシーバ : SFP+ER(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 低消費電力10Gトランシーバ : SFP+ER(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 低消費電力10Gトランシーバ : SFP+ER(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- OFC/NFOEC2008報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,(OFC報告),一般)
- OFC/NFOEC2008報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(大容量伝送技術,超高速伝送技術,光増幅技術,一般,(OFC報告))
- InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- B-10-74 100ギガビットイーサネット向け光トランシーバによる25Gbit/s x 4ch LAN-WDM 10km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-10-22 100Gbit/sイーサネット向けトランシーバ(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-135 10 Gbit/sドライバIC内蔵電界吸収型変調器集積DFBレーザモジュール(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光通信用レーザの最新動向 (月刊オプトロニクス2008年12月号綴込み付録 レーザ製品の手引き Optronics Mini Magazine)
- C-4-11 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積レーザの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 膜厚差のあるInGaAlAs-InGaAsPバットジョイント接続の光損失評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- CI-1-4 100GbE向け光実装・モジュール技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-16 低消費電力化対応1.55μm帯10Gbit/s EA/DFB-TOSAモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 InGaAlAs系EA/DFBレーザによる15℃-95℃,10Gbit/s-80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- B-10-33 100GBASE-ER4向け25Gbit/s x 4ch 1310nm WDMトランシーバによる40km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-9 1.55μm帯10Gbit/s EA/DFB-TOSAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 次世代ITシステムに向けた高速光インタコネクト技術
- C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-2 1.3μm帯InGaAlAs系直接変調DFBレーザの28Gbps無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)