InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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次世代通信用レーザに求められる極限性能の追求を目的として、InGaAlAs系材料とInGaAsP系材料を基板面内に自由に集積する異種材料集積技術を検討した。今回作製した素子はInGaAsP系分布反射器を集積したInGaAlAs系レーザと、InGaAlAs系変調器を集積したInGaAsP系レーザである。これらの異種材料集積素子は優れた特性を示し、InGaAlAsレーザでは14mAの低駆動電流における100℃10Gbps直接変調動作、InGaAsP系レーザでは10Gbps無温調40km伝送を達成した。さらに、これらの素子の寿命試験を行った結果、1400時間を経過して安定に動作し、異種材料集積素子が優れた特性と高い信頼性を併せ持つことを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
-
牧野 茂樹
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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