C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
大部 功
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
(株)日立製作所中央研究所
-
田窪 千咲紀
(株)日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
田窪 千咲紀
(株)日立製作所 中央研究所
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