ドライエッチングにより作製した微細 AlGaAs/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は数十Gb/s光伝送用集積回路素子やマイクロ波帯増幅素子として開発が進められており、その信頼性の確立が急務となっている。現在主流であるべース層不純物にCを用いたHBTの場合、通電によりべース電流の増加する問題があり、その原因として結品起因とプロセス起因の二種類が考えられている。前者に対し、菅原らはべース層へのIn添加により、飛躍的な信頼性向上を達成した[1]。一方、後者に対しては、これまで絶縁膜/半導体界面の応力やイオン打ち込みダメージの影響が検討されてきた[2-4]。今後回路の低消費電力化が必須となることを考えると、微細加工に不可欠なドライエッチングの影響も検討していく心要がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
関連論文
- SC-9-3 裏面エミッタ電極を有する小型 InGaP/GaAs コレクタアップ・トンネリングコレクタ HBT
- C-10-3 裏面エミッタ電極を有するInGaP/GaAsコレクタアップ・トンネリングコレクタHBTの試作
- クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
- InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-18 InGaP/GaAs HBT直流安全動作領域限界
- C-10-10 Size-and Temperature-Indepedent Zero-Offset Current-Voltage Characteristics of GaInP/GaAs Collector-up Tunneling-Collector HBTs
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- ドライエッチングにより作製した微細 AlGaAs/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性評価
- 超格子光ガイド層を用いたZnMgSSe系レーザの室温発振
- 青緑色II-VI族半導体レーザの高性能化
- 絶縁膜埋め込み型AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 小型GaN p^+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察