フッ素系プラズマ処理によるP-HEMT特性劣化機構(<特集>化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
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概要
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フッ素系プラズマによって侵入した不純物フッ素によりGaAs系P-HEMT (Pseudomorphic-High Electron Mobility Transistor)の特性が劣化する機構をP-HEMT結晶中のフッ素の状態分析を行うことにより解明を試みた.XPS (X-ray Photoemission Spectroscopy)によるフッ素の1sスペクトルにおいて,F-Si結合に由来する結合エネルギー689eV付近にピークが確認され,C_2F_6/CHF_3RIE (Reactive Ion Etching)によりP-HEMT結晶表面から侵入したイオン化フッ素がδ-dope層中でドナーのSiと結合することによりキャリヤ不活性化を行うことを見出した.また,その後のアニール処理によりP-HEMT特性の部分的な回復が行われるのは,結晶中に侵入したイオン化フッ素がアニールにより中性のF峯を形成した上で,δ-dope層に蓄積したためと考えた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
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