原子状水素によるGaAs、InP表面の低温クリーニング
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概要
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原子状水素ビームの照射によるGaAs及びInP表面の低温クリーニングの過程を反射高速電子線回折、及び放射光を用いたオージエ電子分光法と光電子分光法により評価した。その結果、試料温度360℃に於て原子状水素ビームの照射によりGaAs、InP共に清浄なV族安定化面が得られるが、クリーニング時間はGaAsよりもInPの方が長いことが判った。光電子スペクトルの解析より、GaAsではGa_2O_3、InPではIn(PO_3)_3の分解反応がクリーニングの反応を律速していることが明かになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-22
著者
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