C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
佐藤 宏
日立中研
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
大家 彰
日立製作所中央研究所
-
篠田 和典
日立製作所中央研究所
-
北谷 健
日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所
-
篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
-
高橋 範次
日立中研
-
大内 潔
日立中研
-
高橋 範次
日立製作所中央研究所
-
佐藤 宏
日立製作所中央研究所
-
大内 潔
日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
日立製作所中央研究所
-
佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
-
大家 彰
日立製作所 中央研究所
-
土屋 朋信
日立 中研
-
土屋 朋信
日立製作所
関連論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
- InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- 超格子光ガイド層を用いたZnMgSSe系レーザの室温発振
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- 77GHz帯電力増幅器
- 結晶成長技術
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ZnMgSSe系青緑レーザのp型結晶の検討
- 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 選択MOVPEを用いたDFBレーザの波長制御技術と応用
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- フッ素系プラズマ処理によるP-HEMT特性劣化機構(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- XPSによるドライエッチング損傷機構の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- プラズマプロセスによるp-HEMTへのフッ素侵入とその挙動(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-4-44 新規駆動方式による高変調効率 (50GHz/V) 動作 40Gbit/s-EA 変調器の設計
- 大容量光インタコネクション用低しきい値1.3μm帯歪MQWレーザ
- BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
- BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
- コア膜厚/ストライプ幅変調型ビーム拡大機能集積化LDの特性解析
- 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
- 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- Cl_2系ICPドライエッチングを施したAlGaInP層の表面状態分析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 高温動作型全MOCVD成長1.3μm帯歪MQW-CBPBH-DFB-LD
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- 応用の幅を広げる半導体レーザ技術
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4x4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- A-20-2 酸化物半導体TFTで構成されたRFIDタグの動作検証(A-20.スマートインフォメディアシステム,一般セッション)
- C-4-19 1.3μm帯4波長面出射DFBレーザアレイの高温25Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 1.3μm帯面出射DFBレーザの高温28Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4×4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)