InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
EDFA励起用光源として高出力且つ高信頼性を有する0.98μm帯InGaAs歪量子井戸レーザが要求され、盛んに研究されている。ところで、これまでによく用いられているGaAs障壁層ではバンドギャップ差は160meVと小さい。従って、高出力特性を得るために活性層の閉じこめ係数を小さくするとキャリアのオーバーフローによる温度特性の劣化が懸念される。今回、我々は、障壁層にInGaAsP(Eg:1.61eV)を用いることによりバンドギャップ差を345meVとし、GaAs障壁層の素子と特性を比較した結果、InGaAsP障壁層の優位性を実証したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
-
佐川 みすず
日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
-
篠田 和典
日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日本オプネクスト(株)
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
佐川 みすず
日立 中研
-
豊中 隆司
日立
関連論文
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 青色発光ダイオードを求めて
- Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ
- Alフリー0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaAs面発光型レーザの室温連続動作
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- III-(N, V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性-GaN_xAs_を例にとって-
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- GaNAsのSi上半導体レーザへの適応に関する検討
- 10Gbps光アクセスシステムに向けた3D-CSPモジュールの基礎検討 : モジュール試作とその送受信特性
- B-10-74 100ギガビットイーサネット向け光トランシーバによる25Gbit/s x 4ch LAN-WDM 10km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-22 100Gbit/sイーサネット向けトランシーバ(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-96 1.3μm帯10.7Gbit/s TOSAモジュールの広温度範囲動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 並列光インターコネクション用1.3μm帯低しきい電流・横テーパ構造n型変調ドープ歪MQWレーザアレイ
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによる85℃-2.5Gb/s零バイアス変調
- 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
- 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
- 光インタコネクト用1.3μm帯低しきい電流半導体レーザアレイ
- 並列光インターコネクション用長波長半導体レーザーアレイ (特集 半導体レーザー・最近の話題)
- 光通信用長波長帯面発光半導体レーザー
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- 低しきい値半導体レ-ザアレイ (特集 光が変えるコンピュ-タの世界--光インタ-コネクション)
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- 光素子アレイを用いたエラーフリー光インタコネクション
- C-3-64 シリコンベース光合分波器を用いた10Gbps小型一芯双方向光モジュール(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 大容量光インタコネクション用低しきい値1.3μm帯歪MQWレーザ
- B-10-33 100GBASE-ER4向け25Gbit/s x 4ch 1310nm WDMトランシーバによる40km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- MQW半導体光増幅器の利得飽和特性と2.5Gb/s-120km伝送特性
- 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
- 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- Cl_2系ICPドライエッチングを施したAlGaInP層の表面状態分析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 高温動作型全MOCVD成長1.3μm帯歪MQW-CBPBH-DFB-LD
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- 光通信用レーザの最新動向 (レーザ製品の手引き)
- BP-3-5 クライアントサイド100Gbit/s光トランスポンダの最新技術動向(BP-3."安全で強固な"超高速光伝送システムの実現に向けて,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)