InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
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概要
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EDFA励起用光源として高出力且つ高信頼性を有する0.98μm帯InGaAs歪量子井戸レーザが要求され、盛んに研究されている。ところで、これまでによく用いられているGaAs障壁層ではバンドギャップ差は160meVと小さい。従って、高出力特性を得るために活性層の閉じこめ係数を小さくするとキャリアのオーバーフローによる温度特性の劣化が懸念される。今回、我々は、障壁層にInGaAsP(Eg:1.61eV)を用いることによりバンドギャップ差を345meVとし、GaAs障壁層の素子と特性を比較した結果、InGaAsP障壁層の優位性を実証したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
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佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
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佐川 みすず
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日立製作所中央研究所
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豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日本オプネクスト(株)
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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佐川 みすず
日立 中研
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豊中 隆司
日立
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