佐川 みすず | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
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佐川 みすず
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日本オプネクスト(株)
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佐川 みすず
日立 中研
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豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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豊中 隆司
日立
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紀川 健
日立製作所中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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紀川 健
日立製作所 中央研究所
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
日立製作所光技術開発推進本部
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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大石 昭夫
(株)日立製作所情報通信事業部
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大石 昭夫
日立製作所通信システム事業本部
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大石 昭夫
(株)日立製作所光事業推進本部
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藤崎 寿美子
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
著作論文
- Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作