魚見 和久 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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佐藤 宏
日立中研
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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古森 正明
日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
日立製作所中央研究所
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古森 正明
(株)日立製作所 中央研究所
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佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
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古森 正明
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所
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土屋 朋信
日立 中研
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大家 彰
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日立製作所中央研究所
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豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
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豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
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平本 清久
日本オプネクスト(株)
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大家 彰
日立製作所 中央研究所
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豊中 隆司
日立
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佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
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佐川 みすず
日立製作所中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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谷渡 剛
日立
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高橋 誠
日立製作所中央研究所
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佐川 みすず
日立 中研
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谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
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鈴木 誠
横浜市立大学一般外科
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高橋 誠
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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奥野 八重
日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
日立製作所中央研究所
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鈴木 誠
日立製作所 中央研究所
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芳賀 徹
日立製作所情報通信事業部
-
谷渡 剛
(株)日立製作所情報通信事業部
-
芳賀 徹
(株)日立製作所通信事業部
-
芳賀 徹
(株)日立製作所情報通信事業部
-
辻 伸二
日立製作所中央研究所
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大歳 創
日立製作所中央研究所
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紀川 健
日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
日立製作所光技術開発推進本部
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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大歳 創
日立中研
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大石 昭夫
(株)日立製作所情報通信事業部
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多田 真二
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
日立製作所通信システム事業本部
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鈴木 誠
日立 中研
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紀川 健
日立製作所 中央研究所
-
本村 典哉
日立製作所中央研究所
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大歳 創
日立製作所
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大石 昭夫
(株)日立製作所光事業推進本部
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藤崎 寿美子
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所
著作論文
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- GaNAsのSi上半導体レーザへの適応に関する検討
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
- 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ