青木 雅博 | (株)日立製作所 中央研究所

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• 大歳 創

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• 谷渡 剛

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• 高嶋 重弘

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  日立中研

• 畑農 督

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  株式会社日立製作所中央研究所

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  日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所

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• 細見 和彦

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  日立中研

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  日立中研

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• 大内 潔

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• 藤原 祥隆

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• 高嶋 重弘

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  リコープリンティングシステムズ

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

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著作論文

• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
• AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• C-4-11 1.3μm帯レンズ集積面出射型レーザによる光ファイバへの高効率直接光結合(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-63 小型100-GbE Quadplex光受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
• 選択MOVPEを用いたDFBレーザの波長制御技術と応用
• 選択MOVPEによる基板面内膜厚制御法を用いた光変調器集積波長多重光源
• 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
• 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
• SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
• SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
• n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
• 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 光通信用レーザの最新動向 (月刊オプトロニクス2008年12月号綴込み付録 レーザ製品の手引き Optronics Mini Magazine)
• C-4-11 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積レーザの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-8 膜厚差のあるInGaAlAs-InGaAsPバットジョイント接続の光損失評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光変調器集積型波長可変DFBレーザ
• BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
• BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
• コア膜厚/ストライプ幅変調型ビーム拡大機能集積化LDの特性解析
• 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
• 選択MOCVD成長による多重量子井戸構造の量子準位エネルギー制御と光集積素子への応用
• リッジ導波路型半導体光増幅器
• C-4-15 InGaAlAs系EA/DFBレーザによる15℃-95℃,10Gbit/s-80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 電界吸収型光変調器集積DFBレーザにおける前端面光反射の伝送特性に与える影響
• 2.5 Gb/s EA-DFB外部変調型光送信機のNDSF 500km 伝送特性
• 光通信用レーザの最新動向 (Mini Magazine レーザ製品の手引き)
• 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
• 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
• シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
• 長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
• 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
• 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
• レーザプリンタ用650nm帯20チャネルアレイレーザの開発 : 高速プリンタ用赤色アレイレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• CS-4-6 短共振器DBRレーザ : VCSELとの比較を中心に(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
• メトロ系通信光源の最近の動向
• 選択MOVPE法によるInP系集積光デバイス
• 有機金属気相成長法による選択成長技術の集積光デバイスへの応用

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