1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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概要
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1.3μm帯直接変調レーザについて,95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μmのInGaAlAs系活性層をもつ分布帰還型レーザを作製し,特性評価を行った.その結果,25℃から95℃の温度範囲において消光比が6dB以上の良好なイア開口を得ることが出来た.これにより無温調25Gbps直接変調レーザを実現できる見通しを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-21
著者
-
菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所
-
松岡 康信
(株)日立製作所中央研究所
-
三田 玲英子
(株)日立製作所中央研究所
-
辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
-
篠田 和典
日立中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
菅原 俊樹
(株)日立製作所 中央研究所
-
菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
-
坂 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
-
辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
-
深町 俊彦
(株)日立製作所 中央研究所
-
足立 光一朗
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立中研
-
松岡 康信
(株)日立製作所 中央研究所
-
坂 琢磨
技術研究組合光電子融合基盤技術研
-
辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
-
三田 玲英子
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 慈久
日立製作所中央研究所
-
深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所
-
深町 俊彦
日立 中研
-
足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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