北谷 健 | (株)日立製作所 中央研究所

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概要

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関連著者

• 北谷 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  (株)日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  (株)日立製作所 中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所 中央研究所

• 辻 伸二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所

• 塩田 貴支

  (株)日立製作所 中央研究所

• 篠田 和典

  日立中央研究所

• 北谷 健

  日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 田中 慈久

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 有本 英生

  (株)日立製作所中央研究所

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 足立 光一朗

  (株)日立製作所 中央研究所

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所 中央研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 足立 光一郎

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 松岡 康信

  (株)日立製作所中央研究所

• 直江 和彦

  日本オプネクスト

• 牧野 茂樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 松岡 康信

  (株)日立製作所 中央研究所

• 武居 亜紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立中研

• 深町 俊彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 直江 和彦

  日本オプネクスト(株)

• 土屋 朋信

  (株)日立製作所中央研究所

• 深町 俊彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所

• 土屋 朋信

  日立 中研

• 笹田 紀子

  日本オプネクスト株式会社設計開発本部

• 笹田 紀子

  日本オプネクスト株式会社

• 谷口 隆文

  (株)日立製作所中央研究所

• 上田 悠太

  早稲田大学理工学術院

• 宇高 勝之

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 林 宏暁

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 直江 和彦

  (株)日本オプネクスト

• 笹田 紀子

  (株)日本オプネクスト

• 深町 俊彦

  日立 中研

• 鈴木 崇功

  (株)日立製作所中央研究所

• 上田 悠太

  早稲田大 理工学術院

• 宇高 勝之

  早稲田大学

• 三田 玲英子

  (株)日立製作所中央研究所

• 宇高 勝之

  早稲田大学理工学術院

• 藤本 信二

  早稲田大学理工学術院

• 三田 玲英子

  (株)日立製作所 中央研究所

• 中村 厚

  日本オプネクスト(株)

• 田中 滋久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  株式会社日立製作所中央研究所

• 坂 琢磨

  (株)日立製作所中央研究所

• 林 宏暁

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐久間 康

  日本オプネクスト株式会社

• 五十嵐 潤

  日本オプネクスト(株)

• 井戸 立身

  (株)日立製作所中央研究所

• 宇高 勝之

  早稲田大学理工学部

• 李 英根

  (株)日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 中村 真也

  早稲田大学理工学術院

• 井上 宏明

  RWCP光インターコネクション日立研

• 中原 宏治

  日立製作所 中央研究所

• 李 英根

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大歳 創

  日立中研

• 井上 宏明

  (株)日本オプネクスト

• 大歳 創

  (株)日立製作所中央研究所

• 岡安 雅信

  日本オプネクスト(株)

• 内田 憲治

  日本オプネクスト(株)

• 坂 琢磨

  技術研究組合光電子融合基盤技術研

• 中村 真也

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 上林 和樹

  早稲田大学理工学術院

• 李 英根

  光電子融合基盤技術研究所:日立製作所

• 深町 俊彦

  日本オクラロ

• 佐久間 康

  日本オクラロ

• 中塚 慎一

  日立製作所中央研究所

• 内山 博幸

  (株)日立製作所 中央研究所

• 塩田 貴支

  株式会社日立製作所中央研究所

• 中塚 慎一

  (株)日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  Rwcp光日立研

• 岡井 誠

  日立中研

• 矢澤 義昭

  (株)日立製作所中央研究所

• 岡井 誠

  (株)日立製作所中央研究所

• 畑農 督

  日本オプネクスト株式会社

• 山田 拓人

  早稲田大学理工学術院

• 林 宏暁

  株式会社日立製作所中央研究所

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  株式会社日立製作所中央研究所

• 岡井 誠

  日立製作所中央研究所

• 畑農 督

  (株)日本オプネクスト

• 川村 大地

  (株)日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  Rwcp光インターコネクション日立研究室

• 小山 慶晃

  早稲田大学理工学術院

• 谷口 隆文

  日本オプネクスト(株)

• 中塚 慎一

  日立 中研

• 笹田 紀子

  日本オプネクスト

• 若山 雄貴

  株式会社日立製作所中央研究所

• 比留間 健之

  株式会社日立製作所中央研究所

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 林 達哉

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 五十嵐 潤

  九州工業大学大学院生命体工学研究科

• 比留間 健之

  日立製作所 中央研究所

• 篠田 和典

  日立製作所中央研究所

• 坂 塚磨

  (株)日立製作所 中央研究所

• 足立 光一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋

  日立製作所

• 魚見 和久

  日本オプネクスト株式会社

• 向久保 優

  日本オプネクスト(株)

• 元田 勝也

  日本オプネクスト株式会社

• 鷲見 聖二

  (株)日本オプネクスト

• 岡本 薫

  日本オプネクスト株式会社

• 岡本 薫

  (株)日本オプネクスト

• 元田 勝也

  (株)日本オプネクスト

• 佐久間 康

  (株)日本オプネクスト

• 魚見 和久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 谷口 隆史

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐久間 康

  日本オクラロ株式会社

• 若山 雄貴

  日立製作所中央研究所

• 深町 俊彦

  日本オクラロ株式会社

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著作論文

• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• GaInNAs半導体レーザの特性評価
• GaInNAs半導体レーザーの室温連続発振
• InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• InAlGaAs/InAlAs/InPマッハツェンダー型多モード干渉光スイッチ(MIPS-MZ)の低電流動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• C-4-11 1.3μm帯レンズ集積面出射型レーザによる光ファイバへの高効率直接光結合(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-11 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積レーザの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-8 膜厚差のあるInGaAlAs-InGaAsPバットジョイント接続の光損失評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• C-3-53 偏光無依存InPマッハツェンダー干渉形型光スイッチ技術(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-15 InGaAlAs系EA/DFBレーザによる15℃-95℃,10Gbit/s-80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-1 1.3μm帯レンズ集積型面出射レーザの広温度範囲25Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (光エレクトロニクス)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (電子部品・材料)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ (機構デバイス)
• InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4x4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• C-4-19 1.3μm帯4波長面出射DFBレーザアレイの高温25Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• CS-4-6 短共振器DBRレーザ : VCSELとの比較を中心に(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-2 1.3μm帯面出射DFBレーザの高温28Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4×4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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