谷口 隆文 | (株)日立製作所中央研究所

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概要

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関連著者

• 谷口 隆文

  (株)日立製作所中央研究所

• 内山 博幸

  (株)日立製作所 中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 田中 滋久

  日立中研

• 田中 慈久

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所中央研究所

• 内山 博幸

  株式会社日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  (株)日立製作所 中央研究所

• 直江 和彦

  日本オプネクスト

• 篠田 和典

  (株)日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  日立製作所中央研究所

• 有本 英生

  (株)日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 武居 亜紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 鈴木 崇功

  (株)日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  日立製作所中央研究所

• 望月 和浩

  (株)日立製作所 中央研究所

• 藤崎 寿美子

  日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  日立中央研究所

• 中原 宏治

  日立製作所 中央研究所

• 中原 宏治

  (株)日立製作所中央研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所 中央研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 紀川 健

  日立製作所 中央研究所

• 辻 伸二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研

• 中村 厚

  日本オプネクスト(株)

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所

• 望月 和浩

  株式会社日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

  日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

  日立製作所

• 五十嵐 潤

  日本オプネクスト(株)

• 井戸 立身

  (株)日立製作所中央研究所

• 岡 徹

  日立

• 岡 徹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 平田 宏治

  日立超LSIエンジニアリング株式会社

• 大内 潔

  株式会社日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  法政大学工学部電気電子工学科

• 田中 滋久

  日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  日立製作所中央研究所

• 大内 潔

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所

• 岡安 雅信

  日本オプネクスト(株)

• 紀川 健

  株式会社日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 藤崎 寿美子

  日立製作所

• 中村 徹

  法政大学工学部

• 直江 和彦

  日本オプネクスト(株)

• 田中 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 塩田 貴支

  (株)日立製作所 中央研究所

• 近藤 正彦

  株式会社日立製作所中央研究所

• 藤崎 寿美子

  株式会社日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  株式会社日立製作所中央研究所

• 寺野 昭久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 田窪 千咲紀

  (株)日立製作所 中央研究所

• 内田 憲治

  日本オプネクスト(株)

• 谷口 隆文

  日立製作所 中央研究所

• 谷口 隆文

  日本オプネクスト(株)

• 五十嵐 潤

  九州工業大学大学院生命体工学研究科

• 大部 功

  (株)日立製作所中央研究所

• 望月 和浩

  (株)日立製作所中央研究所

• 田窪 千咲紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 田窪 千咲紀

  株式会社日立製作所中央研究所

• 田中 健一

  株式会社日立製作所中央研究所

• 塩田 貴支

  株式会社日立製作所中央研究所

• 紀川 健

  日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  日立製作所中央研究所

• 大部 功

  (株)ルネサステクノロジ

• 紀川 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 谷口 隆史

  (株)日立製作所中央研究所

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著作論文

• C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
• InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• フッ素系プラズマ処理によるP-HEMT特性劣化機構(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• XPSによるドライエッチング損傷機構の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• プラズマプロセスによるp-HEMTへのフッ素侵入とその挙動(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
• 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
• Cl_2系ICPドライエッチングを施したAlGaInP層の表面状態分析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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