不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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GaInNAsの結晶成長において不純物、特に3次元成長を助長するAlの混入を抑制したGS-MBE成長装置を用いてGaInNAsレーザを作製した。クラッド層にはGaInPを適用してAl混入の可能性を低減した。しきい電流密度はAlを含む従来の素子に比べて約1/2の値を得ることができた。リッジ型レーザではAl混入の抑制と逆メサリッジ構造の電流狭窄化により通常の長波長レーザと同等レベルのしきい電流特性を得た。しかし,同一構造のGaInAsレーザに比べるとしきい電流密度,しきい電流共に特性に差があった。この差は緩和振動周波数特性からも確認することができ、不純物抑制の他にさらなる結晶性改善が必要であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
工藤 真
日立製作所中央研究所
-
谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所
-
谷口 隆文
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
田中 滋久
日立中研
-
田中 慈久
日立製作所中央研究所
-
谷口 隆文
日立製作所
-
藤崎 寿美子
日立製作所
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