AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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GaInNAsは長波長帯半導体レーザの高温動作特性を改善できる材料として期待されている。本研究では3次元成長を誘発するA1を原料として用いないA1フリーMBE成長によるGaInNAsの単一量子井戸レーザを作製しそのレーザ特性を評価した。A1フリー化による結晶性改善を反映して、しきい電流密度は世界最小と同等の200A/cm^2を得た。また、リッジ型レーザでは25℃において発振波長1.31μmを5.2mAの世界最小のしきい電流にて実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
-
中原 宏治
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
-
足立 光一朗
日立製作所中央研究所
-
葛西 淳一
日立製作所中央研究所
-
北谷 健
日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
-
土屋 朋信
日立 中研
-
足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
-
土屋 朋信
日立製作所
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