長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
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概要
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長波長帯半導体レーザの高温動作、高出力動作の改善を容易に実現するする新しいInP系端面発光型半導体レーザとして、逆メサ構造を有するリッジ導波路型レーザ(RM-RWG-LD)を提案した。活性層に歪InGaAsP-多重量子井戸(MQW精進の導入により高温でのキャリア閉じ込めを強化した1.55μ帯RM-RWG-LDにおいて最高発振温度165t以上を達成した。さらに、波長1.47C帯素子において300mW以上の高い出力動作を得た。また、素子の良好な信頼性も確認しRM-RWG-LD構造が長波長帯の低コスト高性能レーザとして有望であることを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
著者
-
佐藤 宏
日立中研
-
佐藤 宏
(株)日立製作所
-
魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
魚見 和久
(株)日立製作所
-
古森 正明
(株)日立製作所 中央研究所
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
土屋 朋信
日立 中研
-
古森 正明
(株)日立製作所中央研究所
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