(211)InP基板上1.3μm帯レーザ
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概要
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半導体レーザを(n11)基板上に作製することにより低閾値化が期待できる. 本報告では, 理論予測により低閾値化の効果が顕著であると示されている, (211)A InP基板上への結晶成長及びレーザ作製の検討を行った. まず無歪InGAs(P)混晶の単一重子井戸(SQW)構造をフォトルミネッセンス(PL)で評価した. 極薄(0.5nm)の場合はヘテロ界面のミクロステップにより, またInGaAs SQWでは界面での平坦性不足により, 発光特性の劣化が見られた. しかし, レーザの井戸層に適した組成・膜厚のInGaAsP SQWの光学特性は, (100)基板上の同SQWのものと同等であった. 更に1.3μm帯無歪MQWレーザの作製を行ったところ, 閾電流密度=900 A/cm^2 (@共振器長400μm, 活性層幅20μm), 特性温度50K(@20〜70℃)と, (100)基板上の同様のレーザと同等の値が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-04
著者
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