GaInNAs半導体レーザーの室温連続発振
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概要
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光通信用長波長帯半導体レーザーの高温動作特性を改善できるとして期待される新材料GaInNAsを用いた半導体レーザーの室温連続発振に初めて成功した. ブロードストライプを有する利得導波型レーザーを作製し, 閾値電流密度が約1.4kA/cm^2で連続発振した. 発振波長は約1.18μmであった. 発振スペクトルには明瞭な縦モードが観測された. また, 出射ビームの垂直方向, および, 水平方向における遠視野像の半値全角は45゜および, 4.5゜であった. 特性温度は126Kと求まった. 以上により, GaInNAsを半導体レーザーへ適応することで, 高温動作特性に優れる半導体レーザーが作製可能であることが実証された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-31
著者
-
中塚 慎一
日立製作所中央研究所
-
中塚 慎一
(株)日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
Rwcp光日立研
-
岡井 誠
日立中研
-
北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
-
矢澤 義昭
(株)日立製作所中央研究所
-
岡井 誠
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
岡井 誠
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
Rwcp光インターコネクション日立研究室
-
中塚 慎一
日立 中研
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