スポット位置可変半導体レーザの作製及びその動作機構の解析 : 機能化半導体レーザの研究
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概要
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導波路の一部に電流注入を独立に行える並行した2本のストライプ状領域を自己整合的に設けることにより、端面におけるビーム出射位置を電気的に制御出来る半導体レーザを試作した。試作した半導体レーザにより、レーザ出射位置を最大で9μm変位できた。また、このような半導体レーザの出射スポットの動作を、導波路に導波されるレーザ光の強度分布を固有導波モードの線形結合で近似して固有導波モードを各モードの伝搬定数で伝搬させることにより計算した。得られた結果を実験により得られたスポットの動作と比較することにより、本半導体レーザの動作メカニズムを検討した。これにより、報告されているAIGaAs系多重量子井戸構造の屈折率と注入キャリア密度の相関でスポットの移動を説明できることを確認した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-20
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