GaInNAs半導体レーザ

概要

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現在の光ファイバ通信では, 1.3及び1.55μm帯の長波長帯半導体レーザが用いられている。しかし, 長波長帯半導体レーザは高温動作時に特性が大きく劣化する欠点を持っている。幹線系光ファイバ通信では, 長波長帯半導体レーザをベルチェ熱電素子で冷却しながら使用している。従って, 光通信用モジュールが大掛かりとなり, 価格も高くならざるを得ない。加入者系光ファイバ通信や光インターコネクションでは, システムの低価格化が必須であり, 冷却素子を必要としない温度特性に非常に優れる長波長帯半導体レーザが強く求められている。長波長帯半導体レーザの高温動作特性を画期的に改善する為に, 我々は新材料のGaInNAsを提案している。GaInNAsは, GaAs基板と格子整合することができ, 尚且つ, 光ファイバ通信に適するバンドギャップを有する。GaInNAsを半導体レーザの活性層に利用することにより理想的なバンドラインナップが実現でき, 特性温度(T_0)を半導体レーザの理想値(180K程度)まで改善できると期待される。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-03-06